半导体二极管的主要参数是什么

1．最大平均整流电流IF（AV） 
IF（AV）是指二极管长期工作时，允许通过的最大正向平均电流。它与PN结的面积、材料及散热条件有关。实际应用时，工作电流应小于IF（AV），否则，可能导致结温过高而烧毁PN结。    
2．最高反向工作电压VRM 
VRM是指二极管反向运用时，所允许加的最大反向电压。实际应用时，当反向电压增加到击穿电压VBR 时，二极管可能被击穿损坏，因而，VRM通常取为（1/2 ～ 2/3）VBR 。    
3．反向电流IR 
IR是指二极管未被反向击穿时的反向电流。理论上IR =IR（sat），但考虑表面漏电等因素，实际上IR 稍大一些。IR 愈小，表明二极管的单向导电性能愈好。另外，IR 与温度密切相关，使用时应注意。    
4．最高工作频率fM 
fM是指二极管正常工作时，允许通过交流信号的最高频率。实际应用时，不要超过此值，否则二极管的单向导电性将显著退化。fM的大小主要由二极管的电容效应来决定。    
5．二极管的电阻 
就二极管在电路中电流与电压的关系而言，可以把它看成一个等效电阻，且有直流电阻与交流电阻之别

半导体二极管参数符号解释  
　　CT---势垒电容  
　　Cj---结（极间）电容，  表示在二极管两端加规定偏压下，锗  检波二极管的总电容  
　　Cjv---偏压结电容  
　　Co---零偏压电容  
CJO---零偏压结电容  
　　Cjo/Cjn---结电容变化  
　　Cs---管壳电容或封装电容  
　　Ct---总电容  
　　CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比  
　　CTC---电容温度系数  
　　Cvn---标称电容  
　　IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流  管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅  开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流  
　　IF（AV）---正向平均电流
　　IFM（IM）---正向  峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向  脉冲电流。发光二极管极限电流。  
　　IH---恒定电流、维持电流。  
　　Ii---  发光二极管起辉电流  
　　IFRM---正向重复峰值电流  
　　IFSM---正向不重复峰值电流（  浪涌电流）  
　　Io---整流电流。在特定线路中规定  频率和规定电压条件下所通过的工作电流  
　　IF(ov)---正向过载电流  
　　IL---光电流或稳流二极管极限电流  
　　ID---暗电流  
　　IB2---单结晶体管中的基极调制电流  
　　IEM---发射极峰值电流  
　　IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流  
　　IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流  
　　ICM---最大输出平均电流  
IFMP---正向脉冲电流  
　　IP---峰点电流  
　　IV---谷点电流  
　　IGT---晶闸管控制极触发电流  
　　IGD---晶闸管控制极不触发电流  
　　IGFM---控制极正向峰值电流  
　　IR（AV）---反向平均电流  
　　IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。  
　　IRM---反向峰值电流  
　　IRR---晶闸管反向重复平均电流  
　　IDR---晶闸管断态平均重复电流  
　　IRRM---反向重复峰值电流  
　　IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）  
　　Irp---反向恢复电流  
　　Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流  
　　Izk---稳压管膝点电流  
　　IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦  半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流  
　　IZSM---稳压二极管浪涌电流  
　　IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流  
　　iF---正向总瞬时电流  
　　iR---反向总瞬时电流  
　　ir---反向恢复电流  
　　Iop---工作电流  
　　Is---稳流二极管稳定电流  
　　f---频率  
　　n---电容变化指数；电容比  
　　Q---优值（  品质因素）  
　　δvz---稳压管电压漂移  
　　di/dt---通态电流临界上升率  
　　dv/dt---通态电压临界上升率  
　　PB---承受脉冲烧毁功率  
　　PFT（AV）---正向导通平均耗散功率  
　　PFTM---正向峰值耗散功率  
　　PFT---正向导通总瞬时耗散功率  
　　Pd---耗散功率  
　　PG---门极平均功率  
　　PGM---门极峰值功率  
　　PC---控制极平均功率或  集电极耗散功率

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