硅二极管与锗二极管的区别哪位能说说

经测半控桥中的二极管的正向导通压降为375mA--压降怎能是mA？再就是锗管的压降比硅管的要小，理论上锗管是0.3V，硅管是0.7V，但实际中测量硅管压降也能在0.3V左右，这是正常的，不能说测量为0.375V就判断为锗管的，现在的半桥全部是硅管的，没有锗管的，锗管的功率不能跟硅管比。
 希望我的回答能够帮助到您。

1）  硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流Is很小。
2）  在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为0.5V~0.6V,  锗二极管的门限电压约为0.1V~0.2V。

由两种二极管的特性曲线可以看出：1、锗二极管正向在0.2V就开始有电流了,而硅二极管要到0.5V才开始有电流,就是开始导通时的电压不同,锗管小,硅管大；2、开始导通后,锗管电流增大得慢,硅管电流增大得快；
以上两点也可以总结为,在电流相同时,锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻；但是硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻.
另外,在反向电压下,硅管的漏电流要比锗管的漏电流小得多.