开关电源设计步骤步骤1 确定开关电源的基本参数
① 交流输入电压最小值umin
② 交流输入电压最大值umax
③ 电网频率Fl 开关频率f
④ 输出电压VO(V):已知
⑤ 输出功率PO(W):已知
⑥ 电源效率η:一般取80%
⑦ 损耗分配系数Z:Z表示次级损耗与总损耗的比值,Z=0表示全部损耗发生在初级,Z=1表示发生在次级.一般取Z=0.5
步骤2 根据输出要求,选择反馈电路的类型以及反馈电压VFB
步骤3 根据u,PO值确定输入滤波电容CIN、直流输入电压最小值VImin
① 令整流桥的响应时间tc=3ms
② 根据u,查处CIN值
③ 得到Vimin
确定CIN,VImin值
u(V) PO(W) 比例系数(μF/W) CIN(μF) VImin(V)
固定输入:100/115 已知 2~3 (2~3)×PO ≥90
通用输入:85~265 已知 2~3 (2~3)×PO ≥90
固定输入:230±35 已知 1 PO ≥240
步骤4 根据u,确定VOR、VB
① 根据u由表查出VOR、VB值
② 由VB值来选择TVS
u(V) 初级感应电压VOR(V) 钳位二极管反向击穿电压VB(V)
固定输入:100/115 60 90
通用输入:85~265 135 200
固定输入:230±35 135 200
步骤5 根据Vimin和VOR来确定最大占空比Dmax
① 设定MOSFET的导通电压VDS(ON)
② 应在u=umin时确定Dmax值,Dmax随u升高而减小
步骤6 确定初级纹波电流IR与初级峰值电流IP的比值KRP,KRP=IR/IP
u(V) KRP
最小值(连续模式) 最大值(不连续模式)
固定输入:100/115 0.4 1
通用输入:85~265 0.4 1
固定输入:230±35 0.6 1
步骤7 确定初级波形的参数
① 输入电流的平均值IAVG
② 初级峰值电流IP
③ 初级脉动电流IR
④ 初级有效值电流IRMS
步骤8 根据电子数据表和所需IP值 选择TOPSwitch芯片
① 考虑电流热效应会使25℃下定义的极限电流降低10%,所选芯片的极限电流最小值ILIMIT(min)应满足:0.9 ILIMIT(min)≥IP
步骤9和10 计算芯片结温Tj
① 按下式结算:
Tj＝[I2RMS×RDS(ON)+1/2×CXT×(VImax+VOR) 2 f ]×Rθ+25℃
式中CXT是漏极电路结点的等效电容,即高频变压器初级绕组分布电容
② 如果Tj>100℃,应选功率较大的芯片
步骤11 验算IP IP=0.9ILIMIT(min)
① 输入新的KRP且从最小值开始迭代,直到KRP=1
② 检查IP值是否符合要求
③ 迭代KRP=1或IP=0.9ILIMIT(min)
步骤12 计算高频变压器初级电感量LP,LP单位为μH
步骤13 选择变压器所使用的磁芯和骨架,查出以下参数:
① 磁芯有效横截面积Sj(cm2),即有效磁通面积.
② 磁芯的有效磁路长度l(cm)
③ 磁芯在不留间隙时与匝数相关的等效电感AL(μH/匝2)
④ 骨架宽带b(mm)
步骤14 为初级层数d和次级绕组匝数Ns赋值
① 开始时取d＝2(在整个迭代中使1≤d≤2)
② 取Ns=1(100V/115V交流输入),或Ns=0.6(220V或宽范围交流输入)
③ Ns=0.6×(VO+VF1)
④ 在使用公式计算时可能需要迭代
步骤15 计算初级绕组匝数Np和反馈绕组匝数NF
① 设定输出整流管正向压降VF1
② 设定反馈电路整流管正向压降VF2
③ 计算NP
④ 计算NF
步骤16~步骤22 设定最大磁通密度BM、初级绕组电流密度J、磁芯的气隙宽度δ,进行迭代.
① 设置安全边距M,在230V交流输入或宽范围输入时M=3mm,在110V/115V交流输入时M=1.5mm.使用三重绝缘线时M=0
② 最大磁通密度BM=0.2~0.3T
若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,使BM在0.2~0.3T范围之内.如BM10A/mm2,应选较粗的导线并配以较大尺寸的磁芯和骨架,使J